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晶体管
DMN2029USD-13参考图片

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DMN2029USD-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET 20V Dual N-Ch ENH 20V 25mOhm 4.5V 5.8A
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数量单价合计
1
¥3.842
3.842
10
¥2.9832
29.832
100
¥1.6159
161.59
1,000
¥1.2091
1209.1
2,500
¥1.04525
2613.125
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SO-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
5.8 A
Rds On-漏源导通电阻
25 mOhms, 25 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
8 V
Qg-栅极电荷
10.4 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1.2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN2029
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
10 S
下降时间
53.5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
10.4 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
119.3 ns
典型接通延迟时间
16.5 ns
单位重量
74 mg
商品其它信息
优势价格,DMN2029USD-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥9.831
参考库存:34260
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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