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晶体管
DMN2400UFD-7参考图片

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DMN2400UFD-7

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch Enh Mode FET 1.0V Max 0.4W Pd
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数量单价合计
1
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2.8476
10
¥2.0453
20.453
100
¥0.9379
93.79
1,000
¥0.72207
722.07
3,000
¥0.61472
1844.16
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
X1-DFN1212-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
20 V
Id-连续漏极电流
900 mA
Rds On-漏源导通电阻
350 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
450 mV
Vgs - 栅极-源极电压
12 V
Qg-栅极电荷
500 pC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
400 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
DMN24
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Diodes Incorporated
下降时间
10.54 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
7.28 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
13.74 ns
典型接通延迟时间
4.06 ns
单位重量
1 mg
商品其它信息
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥0.34578
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