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晶体管
STW9N80K5参考图片

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STW9N80K5

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET N-channel 800 V, 0.73 Ohm typ., 7 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-247 package
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数量单价合计
1
¥20.8259
20.8259
10
¥17.6732
176.732
100
¥14.1363
1413.63
500
¥12.4526
6226.3
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
800 V
Id-连续漏极电流
7 A
Rds On-漏源导通电阻
900 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
Qg-栅极电荷
12 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
110 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
MDmesh
封装
Tube
系列
STW9N80K5
商标
STMicroelectronics
下降时间
13.6 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5.7 ns
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
65.3 ns
典型接通延迟时间
11 ns
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格，STW9N80K5的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DMN3012LFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
暂无价格
参考库存:27332
DMTH3004LFG-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥3.1527
10:¥2.5877
100:¥1.582
1,000:¥1.2204
3,000:¥1.04525
参考库存:27337
DMN67D8LV-7
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥3.2318
10:¥2.0792
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1,000:¥0.68365
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NTMFS4H01NFT3G
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1:¥46.7933
10:¥39.7986
100:¥34.4989
250:¥32.7361
5,000:¥22.6678
参考库存:27347
AUIRF2903ZS
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10:¥25.1312
100:¥21.8203
250:¥20.6677
参考库存:27352

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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