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晶体管
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BLV21

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库存:4,233(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥507.144
507.144
10
¥422.62
4226.2
25
¥380.358
9508.95
50
¥338.096
16904.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Advanced Semiconductor, Inc.
产品种类
射频(RF)双极晶体管
RoHS
晶体管类型
Bipolar Power
技术
Si
晶体管极性
NPN
直流集电极/Base Gain hfe Min
5
集电极—发射极最大电压 VCEO
35 V
发射极 - 基极电压 VEBO
4 V
集电极连续电流
1.75 A
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 200 C
安装风格
Screw Mount
封装 / 箱体
SOT-123
封装
Tray
工作频率
175 MHz
类型
RF Bipolar Power
商标
Advanced Semiconductor, Inc.
Pd-功率耗散
36 W
产品类型
RF Bipolar Transistors
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,BLV21的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
24:¥232.9043
48:¥222.4518
120:¥198.8574
264:¥189.6366
参考库存:44907
晶体管
MOSFET TRENCH 8 80V NFET
1,500:¥6.7235
4,500:¥6.4749
9,000:¥6.2263
参考库存:21215
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 3.3K 10K
3,000:¥0.36838
9,000:¥0.31527
24,000:¥0.29945
45,000:¥0.27685
参考库存:44914
晶体管
MOSFET P-Ch MOS -80A -40V 100W 7770pF 0.0052
2,000:¥6.7461
4,000:¥6.4975
10,000:¥6.2489
参考库存:44919
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 6A 525V 100W 600pF 1.3 Ohm
2,000:¥4.2149
10,000:¥4.0567
参考库存:44924
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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