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产品分类

晶体管
IPB60R099CPATMA1参考图片

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IPB60R099CPATMA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 31A D2PAK-2 CoolMOS CP
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库存:5,502(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥53.9462
53.9462
10
¥48.7934
487.934
25
¥46.4882
1162.205
100
¥40.341
4034.1
1,000
¥30.5778
30577.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
600 V
Id-连续漏极电流
31 A
Rds On-漏源导通电阻
90 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
80 nC
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
255 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS CE
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
5 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
10 ns
零件号别名
IPB60R099CP IPB6R99CPXT SP000088490
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IPB60R099CPATMA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -12V Vds 8V Vgs SO-8
1:¥11.0627
10:¥9.0626
2,500:¥9.0626
参考库存:41394
晶体管
MOSFET 600V N-Channel SuperFET II MOSFET
1:¥45.878
10:¥41.4145
25:¥39.4935
100:¥34.2729
参考库存:6596
晶体管
MOSFET 20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
1:¥10.0683
10:¥8.2942
100:¥6.328
500:¥5.4353
1,000:¥4.294
3,000:¥4.294
参考库存:10958
晶体管
MOSFET 600V Vds 30V Vgs TO-220AB
1:¥55.8672
10:¥50.4093
50:¥44.4881
100:¥41.7987
参考库存:4995
晶体管
IGBT 晶体管 600V UltraFast Trench IGBT
1:¥82.4448
10:¥75.8456
25:¥72.6929
100:¥64.0032
参考库存:3167
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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