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晶体管
HGTG5N120BND参考图片

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HGTG5N120BND

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库存:53,717(价格仅供参考)
数量单价合计
450
¥14.4414
6498.63
900
¥12.9837
11685.33
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.45 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
21 A
Pd-功率耗散
167 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
HGTG5N120BND
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
21 A
高度
20.82 mm
长度
15.87 mm
宽度
4.82 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
21 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 250 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
零件号别名
HGTG5N120BND_NL
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,HGTG5N120BND的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs TSOP-6
1:¥4.8364
10:¥3.7516
100:¥2.7798
500:¥2.2939
3,000:¥1.6159
6,000:查看
参考库存:25269
晶体管
MOSFET 100V P-Channel QFET
1:¥7.6049
10:¥6.4523
100:¥4.9607
500:¥4.3844
1,000:¥3.4578
参考库存:15396
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Transistor General Purpose
1:¥2.3843
10:¥1.5933
100:¥0.66896
1,000:¥0.45313
2,000:¥0.35369
参考库存:138683
晶体管
MOSFET MOSFT 25V 5.8A 24mOhm 5.4 Qg
1:¥2.6103
10:¥2.0453
100:¥1.10627
1,000:¥0.82942
3,000:¥0.71416
9,000:¥0.66896
参考库存:110455
晶体管
MOSFET N-CH 100V HEXFET MOSFET D2-PA
1:¥12.1362
10:¥10.0683
100:¥7.8422
500:¥6.8026
1,000:¥5.6387
参考库存:12227
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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