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晶体管
SQJB90EP-T1_GE3参考图片

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SQJB90EP-T1_GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET Dual N-Ch 80V Vds AEC-Q101 Qualified
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库存:13,037(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥11.526
11.526
10
¥9.9892
99.892
100
¥8.2264
822.64
500
¥6.4523
3226.15
3,000
¥4.6895
14068.5
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerPAK-SO-8L-4
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
30 A
Rds On-漏源导通电阻
17.9 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
25 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
48 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
商标名
TrenchFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1.04 mm
长度
6.15 mm
系列
SQ
晶体管类型
2 N-Channel
宽度
5.13 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
24 S
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
21 ns
典型接通延迟时间
13 ns
单位重量
506.600 mg
商品其它信息
优势价格,SQJB90EP-T1_GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET TRENCH 8 80V NFET
1:¥7.5258
10:¥6.3958
100:¥4.9155
500:¥4.3392
1,500:¥3.0397
9,000:查看
参考库存:4035
晶体管
IGBT 模块 IGBT-MODULE
1:¥159.9063
5:¥158.2113
10:¥147.4537
25:¥140.8432
参考库存:3862
晶体管
IGBT 晶体管 IGNITION IGBT 20A 400V
1:¥12.9046
10:¥10.4525
100:¥8.3733
500:¥6.7348
800:¥6.3958
参考库存:7559
晶体管
MOSFET TSOP6 20V DUAL N-CH (D-S) TREN
1:¥7.8422
10:¥6.4749
100:¥4.9607
500:¥4.2714
1,000:¥3.3787
3,000:¥3.3787
参考库存:86981
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Transistor I=-200mA
1:¥1.4577
10:¥1.2317
100:¥0.47686
1,000:¥0.29945
3,000:¥0.22261
参考库存:21718
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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