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产品分类

晶体管
IHW15N120E1XKSA1参考图片

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IHW15N120E1XKSA1

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库存:3,987(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥20.9728
20.9728
10
¥17.8314
178.314
100
¥14.2945
1429.45
500
¥12.4526
6226.3
1,000
¥10.3734
10373.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1.2 kV
集电极—射极饱和电压
1.5 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
30 A
Pd-功率耗散
156 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
30 A
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
零件号别名
IHW15N120E1 SP001391908
单位重量
6 g
商品其它信息
优势价格,IHW15N120E1XKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Trans Pre-Biased NPN 50V R1 47K R2 47
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:136107
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Epitaxial Sil
1:¥4.7686
10:¥3.9211
100:¥2.5312
1,000:¥2.034
2,000:¥2.034
参考库存:19619
晶体管
MOSFET 350V 10Ohm
1:¥9.7632
10:¥9.605
25:¥8.0682
100:¥7.3563
2,000:¥5.0737
4,000:查看
参考库存:9996
晶体管
IGBT 晶体管 600V 10A NPT IGBT
1:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.6784
1,000:¥7.2433
参考库存:7248
晶体管
MOSFET 40V 2Ohm
1:¥8.2942
10:¥8.2264
25:¥6.8817
100:¥6.2602
2,000:¥4.3166
4,000:查看
参考库存:6445
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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