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晶体管
IGW20N60H3参考图片

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IGW20N60H3

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 600V HI SPEED SW IGBT
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数量单价合计
1
¥22.6678
22.6678
10
¥19.2891
192.891
100
¥16.6788
1667.88
250
¥15.8313
3957.825
500
¥14.2154
7107.7
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.4 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
40 A
Pd-功率耗散
170 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW20N60H3FKSA1 IGW2N6H3XK SP000852238
商品其它信息
优势价格,IGW20N60H3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1,000:¥0.87575
8,000:¥0.68365
24,000:查看
参考库存:38119
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