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晶体管
IPW65R019C7FKSA1参考图片

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IPW65R019C7FKSA1

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 650V 75A TO247-3 CoolMOS C7
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库存:7,104(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥150.4482
150.4482
5
¥148.9114
744.557
10
¥138.7753
1387.753
25
¥132.549
3313.725
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
PG-TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
75 A
Rds On-漏源导通电阻
19 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
215 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
446 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS C7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
5 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
27 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
106 ns
典型接通延迟时间
30 ns
零件号别名
IPW65R019C7 SP000928646
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IPW65R019C7FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 30-V Dual N-Channel MOSFET
1:¥7.8422
10:¥6.6896
100:¥5.1528
250:¥5.1528
500:¥4.5539
参考库存:4118
晶体管
MOSFET 40V Vds Dual N-Ch AEC-Q101 Qualified
1:¥18.984
10:¥15.7522
100:¥12.2153
500:¥10.6785
1,000:¥8.9157
2,000:¥8.9157
参考库存:11705
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) COMP 40V NPN/PNP LO
1:¥6.3732
10:¥5.2658
100:¥3.4013
1,000:¥2.7233
2,500:¥2.2939
参考库存:12972
晶体管
MOSFET 200v Vds 78.5A Id AEC-Q101 Qualified
1:¥22.826
10:¥18.9049
100:¥15.594
250:¥15.142
参考库存:4889
晶体管
MOSFET LOW POWER_NEW
1:¥9.831
10:¥8.3733
100:¥6.4862
500:¥5.7291
1,000:¥4.5313
3,000:¥4.5313
参考库存:18091
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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