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晶体管
BS170-D26Z参考图片

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BS170-D26Z

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库存:25,932(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥2.6894
2.6894
10
¥2.0566
20.566
100
¥1.11418
111.418
1,000
¥0.83733
837.33
2,000
¥0.71416
1428.32
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
500 mA
Rds On-漏源导通电阻
1.2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
830 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
5.33 mm
长度
5.2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
BS170
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
0.32 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
零件号别名
BS170_D26Z
单位重量
286 mg
商品其它信息
优势价格,BS170-D26Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET OptiMOS Sm-Signal 100V 6Ohm 190mA
1:¥3.2996
10:¥2.2939
100:¥1.05316
1,000:¥0.80682
10,000:¥0.63054
20,000:查看
参考库存:52945
晶体管
MOSFET 40V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC
1:¥16.0573
10:¥13.3679
100:¥10.3734
500:¥9.0626
3,000:¥6.9608
6,000:查看
参考库存:32947
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 50A
1:¥352.6956
5:¥344.8534
10:¥329.0334
25:¥315.27
参考库存:3114
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1700V 150A
1:¥1,797.4458
5:¥1,754.2572
10:¥1,710.6844
25:¥1,686.7171
参考库存:2976
晶体管
MOSFET N-channel 60 V, 0.0028 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in H2PAK-6 package
1:¥14.6787
10:¥12.4526
100:¥9.9892
500:¥8.6784
参考库存:10788
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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