UMH4NTN详细参数_参考价格_UMH4NTN PDF资料_ROHM Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	UMT-6
直流集电极/Base Gain hfe Min	100
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	UMH4N
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	600
发射极 - 基极电压 VEBO	5 V
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	ROHM Semiconductor
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
零件号别名	UMH4N
单位重量	35 mg

商品其它信息

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型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
CMLT2907A BK	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Transistor	10,000:¥0.99101 30,000:¥0.9379 50,000:¥0.91417 100,000:¥0.88366	参考库存:49437
2N5302	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT	100:¥380.7422 250:¥348.7745	参考库存:49442
FMMT624TC	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SuperSOT	10,000:¥1.4238	参考库存:49447
IPP034N03LGHKSA1	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3	500:¥6.7348 1,000:¥5.3223 2,500:¥4.7121 10,000:¥4.5313	参考库存:49452
FF150R12KE3_B8	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 IGBT 1200V 150A	10:¥1,369.673 30:¥1,350.463	参考库存:49457