FJN3302RTA详细参数_参考价格_FJN3302RTA PDF资料_ON Semiconductor / Fairchild

晶体管

图片仅供参考，请参阅产品规格

购买、咨询产品请填写询价信息

询价型号*	数量*	批号	封装	品牌	其它要求

请确认联系方式，3分钟内即可给您回复

微信： QQ：

库存：150,831(价格仅供参考)

询价数量：

加入询价单立即询价

相关型号

数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ON Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	Through Hole
封装 / 箱体	TO-92-3 Kinked Lead
直流集电极/Base Gain hfe Min	30
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	0.1 A
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	300 mW
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	FJN3302R
封装	Ammo Pack
直流电流增益 hFE 最大值	30
发射极 - 基极电压 VEBO	10 V
高度	5.33 mm
长度	5.2 mm
类型	NPN Epitaxial Silicon Transistor
宽度	4.19 mm
商标	ON Semiconductor / Fairchild
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	2000
子类别	Transistors
零件号别名	FJN3302RTA_NL
单位重量	240 mg

商品其它信息

优势价格，FJN3302RTA的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
MRFE6VP6300HSR5	NXP / Freescale	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 VHV6 300W50VISM NI780S-4	50:¥733.9802 100:¥682.6443	参考库存:40178
ST9045C	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz	50:¥440.2932 100:¥408.0204	参考库存:40183
A2T18H450W19SR6	NXP / Freescale	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 A2T18H450W19S/CFM8F///REEL 13 Q2 NDP	150:¥1,543.3314	参考库存:40188
NVD5890NT4G-VF01	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET NFET DPAK 40V 100A 3.7MOH	2,500:¥6.6444 5,000:¥6.3958 10,000:¥6.1472	参考库存:101496
CMST5086 TR	Central Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP 50Vcbo 50Vceo 3.0Vebo 50mA 275mW	15,000:¥0.46895 30,000:¥0.43844 45,000:¥0.39211 105,000:¥0.37629	参考库存:181498