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晶体管
BS270-D74Z参考图片

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BS270-D74Z

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数量单价合计
1
¥3.4578
3.4578
10
¥2.2148
22.148
100
¥0.95259
95.259
1,000
¥0.72998
729.98
2,000
¥0.5537
1107.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
400 mA
Rds On-漏源导通电阻
2 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
625 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Ammo Pack
高度
5.33 mm
长度
5.2 mm
产品
MOSFET Small Signal
系列
BS270
晶体管类型
1 N-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
0.32 S
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
零件号别名
BS270_D74Z
单位重量
286 mg
商品其它信息
优势价格,BS270-D74Z的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 75/80V
1:¥21.5152
10:¥18.2834
100:¥15.8313
250:¥15.0629
1,000:¥11.3678
2,000:查看
参考库存:41751
晶体管
MOSFET SO-6 N-CH ENHANCE
1:¥3.616
10:¥2.7911
100:¥1.5142
1,000:¥1.13
3,000:¥0.97632
参考库存:17050
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF MOSFET (VDMOS)
1:¥779.5418
2:¥755.4163
5:¥755.179
10:¥730.8275
参考库存:4192
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 GaN HEMT 1.8-2.2GHz, 200 Watt
暂无价格
参考库存:41760
晶体管
MOSFET Nch 600V 30A Si MOSFET
1:¥25.8996
10:¥21.9785
100:¥19.0518
250:¥18.0574
参考库存:14014
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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