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晶体管
PD57060TR-E参考图片

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PD57060TR-E

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Pwr Transistors LDMOST Plastic Fam
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库存:39,504(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥415.6253
415.6253
5
¥406.3254
2031.627
10
¥390.4263
3904.263
25
¥377.8268
9445.67
600
¥311.6653
186999.18
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
RoHS
晶体管极性
N-Channel
技术
Si
Id-连续漏极电流
7 A
Vds-漏源极击穿电压
65 V
增益
14.3 dB
输出功率
60 W
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerSO-10RF-Formed-4
封装
Reel
配置
Single
高度
3.5 mm
长度
7.5 mm
工作频率
1 GHz
系列
PD57060S-E
类型
RF Power MOSFET
宽度
9.4 mm
商标
STMicroelectronics
通道模式
Enhancement
湿度敏感性
Yes
Pd-功率耗散
79 W
产品类型
RF MOSFET Transistors
工厂包装数量
600
子类别
MOSFETs
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
单位重量
3 g
商品其它信息
优势价格,PD57060TR-E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET JFET N-Channel -25V 3.5Vgs 10Vds 20mA
111:¥59.0877
500:¥53.8671
1,000:¥46.8724
参考库存:33415
晶体管
MOSFET N-Ch 560V 4.5A TO220-3
1:¥11.526
10:¥9.831
100:¥7.5936
500:¥6.7122
参考库存:33420
晶体管
MOSFET Pwr MOSFET 40V 34A 10mOhm Dual N-CH
1:¥12.2153
10:¥10.3734
100:¥8.2942
500:¥7.2659
1,500:¥5.6048
4,500:查看
参考库存:33425
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥1,147.8314
2:¥1,125.3218
5:¥1,087.7493
10:¥1,068.2342
参考库存:33430
晶体管
IGBT 模块 1200V 25A FL BRIDGE
1:¥729.3698
5:¥715.9906
10:¥683.7178
25:¥660.9822
参考库存:33435
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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