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晶体管
BC 850C E6327参考图片

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BC 850C E6327

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 30 V 100 mA
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库存:226,123(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥1.4577
1.4577
10
¥1.2882
12.882
100
¥0.45313
45.313
1,000
¥0.30736
307.36
3,000
¥0.23052
691.56
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-23-3
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
45 V
集电极—基极电压 VCBO
50 V
发射极 - 基极电压 VEBO
6 V
集电极—射极饱和电压
200 mV
最大直流电集电极电流
200 mA
增益带宽产品fT
250 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
BC850
直流电流增益 hFE 最大值
800
高度
1 mm
长度
2.9 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.3 mm
商标
Infineon Technologies
集电极连续电流
100 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min
420
Pd-功率耗散
330 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
零件号别名
BC850CE6327HTSA1 BC85CE6327XT SP000010563
单位重量
8 mg
商品其它信息
优势价格,BC 850C E6327的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块
1:¥5,082.6609
5:¥4,776.3744
参考库存:36045
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) DUAL NPN 50V 150MA SOT-457
1:¥3.3787
10:¥2.5538
100:¥1.3786
1,000:¥1.03734
3,000:¥0.89948
参考库存:36050
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF PWR N-Ch MOS 150W 14dB 175MHz
1:¥544.3323
5:¥534.3431
10:¥520.5119
25:¥510.2967
参考库存:36055
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥408.7097
2:¥397.5679
5:¥386.5843
10:¥375.5216
参考库存:36060
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
1:¥329.6436
5:¥313.123
10:¥304.8966
25:¥280.1609
参考库存:36065
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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