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晶体管

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BSM35GD120DLCE3224

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数量单价合计
1
¥912.7801
912.7801
5
¥895.9544
4479.772
10
¥855.6925
8556.925
25
¥827.1035
20677.5875
询价数量:
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参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
在25 C的连续集电极电流
70 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
280 W
封装 / 箱体
EconoPACK 2A
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 125 C
封装
Tray
高度
17 mm
长度
107.5 mm
宽度
45 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
BSM35GD120DLCE3224BOSA1 SP000100390
商品其它信息
优势价格,BSM35GD120DLCE3224的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 Insulated Gate Bipolar Transistor - Fieldstop Low Freq - Combi
1:¥270.3977
5:¥258.2615
10:¥250.1933
25:¥229.9098
参考库存:1551
晶体管
MOSFET N-Ch MOS 5A 600V 35W 700pF 1.43 Ohm
1:¥12.3735
10:¥9.9892
100:¥7.684
500:¥6.7574
参考库存:2323
晶体管
达林顿晶体管 TRNS DARLINGTN TAPE7
1:¥3.842
10:¥2.9719
100:¥1.6159
1,000:¥1.2091
2,000:¥1.04525
参考库存:10315
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 24.5mOhms
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.1981
500:¥6.3619
参考库存:2252
晶体管
MOSFET MOSFT 30V 100A 7mOhm 40nC Log LvlAB
1:¥10.9836
10:¥9.379
100:¥7.2207
500:¥6.3732
1,000:¥5.0285
参考库存:44459
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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