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晶体管
FDP12N50NZ参考图片

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FDP12N50NZ

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库存:6,343(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥12.3735
12.3735
10
¥10.5316
105.316
100
¥8.0682
806.82
500
¥7.1642
3582.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
11.5 A
Rds On-漏源导通电阻
460 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
5 V
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
Qg-栅极电荷
23 nC
Pd-功率耗散
170 W
配置
Single
商标名
UniFET
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP12N50NZ
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
12 S
下降时间
45 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
50 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,FDP12N50NZ的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 N-Ch/ 60A 600V FS
1:¥40.8043
10:¥34.7362
100:¥30.0467
250:¥28.5099
500:¥25.5832
参考库存:4929
晶体管
MOSFET -20V -430mA Dual P-Channel
1:¥3.2996
10:¥2.3391
100:¥1.07576
1,000:¥0.82264
4,000:¥0.69947
参考库存:88426
晶体管
MOSFET MOSFT PCh -30V -9.2A 19.4mOhm 25Vgs
1:¥4.4522
10:¥3.7177
100:¥2.2713
1,000:¥1.7515
4,000:¥1.4916
参考库存:33563
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS HV XSTR SPCL TR
1:¥3.2996
10:¥2.1357
100:¥0.91417
1,000:¥0.70738
3,000:¥0.53788
参考库存:69155
晶体管
MOSFET -20V -3A P-Channel w/3A Schottky
1:¥3.616
10:¥2.9945
100:¥1.8306
1,000:¥1.4125
3,000:¥1.2091
参考库存:30877
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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