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晶体管
FGH60N60SFDTU参考图片

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FGH60N60SFDTU

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库存:4,929(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥40.8043
40.8043
10
¥34.7362
347.362
100
¥30.0467
3004.67
250
¥28.5099
7127.475
500
¥25.5832
12791.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247AB-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGH60N60SFD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
120 A
高度
20.6 mm
长度
15.6 mm
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.390 g
商品其它信息
优势价格,FGH60N60SFDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
JFET JFET N-Channel Reel of 1000
1,000:¥8.7575
2,000:¥7.8422
10,000:¥7.4919
参考库存:48199
晶体管
达林顿晶体管 TO220 PNP Darlington Plasticleads
2,000:¥3.9776
4,000:¥3.6386
10,000:¥3.3109
24,000:¥3.2544
参考库存:48204
晶体管
MOSFET 25V 30A 6.0W 3.5mohm @ 10V
2,500:¥5.9212
5,000:¥5.7065
10,000:¥5.4805
参考库存:48209
晶体管
MOSFET 800V 8A N Channel Mosfet
4,000:¥10.0683
5,000:¥9.6841
参考库存:48214
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥468.0347
参考库存:48219
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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