UMC3NTR详细参数_参考价格_UMC3NTR PDF资料_ROHM Semiconductor

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	ROHM Semiconductor
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Dual Common Base and Collector
晶体管极性	NPN, PNP
典型输入电阻器	10 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
直流集电极/Base Gain hfe Min	30
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
最小工作温度	- 55 C
最大工作温度	+ 150 C
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
高度	0.77 mm
长度	2 mm
宽度	1.7 mm
商标	ROHM Semiconductor
通道数量	2 Channel
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DMT10H072LFDF-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFET BVDSS: 61V~100V U-DFN2020-6 T&R 10K	1:¥4.9155 10:¥4.1019 100:¥2.6442 1,000:¥2.1244 10,000:¥2.1244	参考库存:50381
TSM9ND50CI C0G	Taiwan Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 500V 9A 0.9Ohm Sng N-Chan Pwr MOSFET	4,000:¥6.215 6,000:¥5.989 10,000:¥5.8647	参考库存:50386
APTGT150SK170G	Microsemi	晶体管	PDF数据手册	IGBT 模块 Power Module - IGBT	100:¥871.3656	参考库存:50391
IRG4IBC20FDPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	IGBT 晶体管 600V Fast 1-8kHz	2,000:¥14.2154	参考库存:50396
PTFB183404F-V2-R250	Wolfspeed / Cree	晶体管	PDF数据手册	射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET	250:¥1,281.0019	参考库存:50401