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晶体管
IGB30N60T参考图片

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IGB30N60T

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
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库存:9,785(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.9785
21.9785
10
¥18.6676
186.676
100
¥16.2155
1621.55
250
¥15.368
3842
1,000
¥11.6051
11605.1
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-263-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.95 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
60 A
Pd-功率耗散
187 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP IGBT
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGB30N60TATMA1 IGB3N6TXT SP000095765
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,IGB30N60T的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET DISCRETES
400:¥54.5564
800:¥49.72
1,200:¥43.2564
参考库存:51582
晶体管
MOSFET N-Ch 55V 80A D2PAK-2 SIPMOS
1,000:¥10.9158
2,000:¥10.3734
5,000:¥9.9892
参考库存:51587
晶体管
MOSFET 60V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET
15,000:¥1.695
24,375:¥1.6498
参考库存:51592
晶体管
MOSFET N-Ch 800 V 0.95 Ohm 6 A Zener-protecte
1:¥29.5043
10:¥25.1312
100:¥21.7412
250:¥20.6677
参考库存:51597
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 3K
1:¥10.6785
10:¥9.1417
100:¥7.0286
500:¥6.215
1,000:¥4.9042
3,000:¥4.9042
参考库存:51602
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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