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晶体管
TSM170N06CH C5G参考图片

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TSM170N06CH C5G

  • Taiwan Semiconductor
  • 新批次
  • MOSFET 60V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET
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数量单价合计
15,000
¥1.695
25425
24,375
¥1.6498
40213.875
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Taiwan Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-251-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
38 A
Rds On-漏源导通电阻
15 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.2 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
46 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Tube
晶体管类型
1 N-Channel
商标
Taiwan Semiconductor
下降时间
7.9 ns
湿度敏感性
Yes
产品类型
MOSFET
上升时间
24.2 ns
工厂包装数量
3750
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
32.3 ns
典型接通延迟时间
8.6 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，TSM170N06CH C5G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
AUIRFR5305TR
Infineon / IR
晶体管
MOSFET AUTO -55V 1 P-CH HEXFET 65mOhms
1:¥15.2098
10:¥12.9837
100:¥10.3734
500:¥9.0626
2,000:¥6.9721
4,000:查看
参考库存:16160
DMP6110SSDQ-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
1:¥4.7686
10:¥3.9663
100:¥2.5538
1,000:¥2.0566
2,500:¥2.0566
参考库存:18662
BLV34
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥668.508
10:¥557.09
25:¥501.381
50:¥445.672
参考库存:26572
RN2113MFV(TL3,T)
Toshiba
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 Bias Resistor PNP 47kohm -100mA -50V
1:¥1.695
10:¥1.06785
100:¥0.44522
1,000:¥0.30736
8,000:¥0.20001
24,000:查看
参考库存:26577
FMMT494TC
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Medium Power
10,000:¥0.83733
参考库存:2606174

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    50万现货SKU

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