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晶体管
SUD80460E-GE3参考图片

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SUD80460E-GE3

  • Vishay / Siliconix
  • 新批次
  • MOSFET 150V Vds 42A Id 10.5nC Qg Typ.
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数量单价合计
1
¥7.6049
7.6049
10
¥6.0568
60.568
100
¥4.5991
459.91
500
¥3.7968
1898.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Vishay
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
150 V
Id-连续漏极电流
42 A
Rds On-漏源导通电阻
37.2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
16 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
65.2 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
高度
2.38 mm
长度
6.73 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
Vishay / Siliconix
正向跨导 - 最小值
11 S
下降时间
30 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
20 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
15 ns
典型接通延迟时间
8 ns
单位重量
340 mg
商品其它信息
优势价格，SUD80460E-GE3的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TK58A06N1,S4X
Toshiba
晶体管
MOSFET MOSFET NCh 4.4ohm VGS10V10uAVDS60V
1:¥10.2943
10:¥8.2264
100:¥6.3506
500:¥5.6048
参考库存:5065
2SD2114KT146V
ROHM Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 20V 0.5A
1:¥3.616
10:¥2.3278
100:¥0.99892
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.58421
参考库存:25412
2N3791
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP GP Power
1:¥46.0249
10:¥45.6407
25:¥41.5727
100:¥37.4934
250:¥34.4198
参考库存:4279
PSMN4R2-30MLDX
Nexperia
晶体管
MOSFET 30V N-Channel 2.4mOhm
1:¥4.7686
10:¥4.0115
100:¥2.5877
1,000:¥2.0679
1,500:¥2.0679
参考库存:5036
BSV52LT1G
ON Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 12V Switching NPN
1:¥2.0001
10:¥1.3334
100:¥0.56048
1,000:¥0.3842
3,000:¥0.29945
参考库存:98023

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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