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晶体管
DMN3012LDG-13参考图片

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DMN3012LDG-13

  • Diodes Inc. / Pericom
  • 新批次
  • MOSFET MOSFET BVDSS: 25V~30V PowerDI3333-8 T&R 3K
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数量单价合计
1
¥10.6785
10.6785
10
¥9.1417
91.417
100
¥7.0286
702.86
500
¥6.215
3107.5
1,000
¥4.9042
4904.2
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
PowerDI3333-B
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
20 A
Rds On-漏源导通电阻
12 mOhms, 6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V, 750 mV
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
6.1 nC, 12.6 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
2.2 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Diodes Incorporated
正向跨导 - 最小值
27 S, 46 S
下降时间
2.3 ns, 2.9 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
2.7 ns, 3.5 ns
工厂包装数量
3000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
6.4 ns, 12.4 ns
典型接通延迟时间
5.1 ns, 4.4 ns
单位重量
44 mg
商品其它信息
优势价格，DMN3012LDG-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
IPP093N06N3 G
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥8.7575
10:¥7.5258
100:¥5.7856
500:¥5.1189
1,000:¥4.0341
参考库存:6003
MRF171
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF Transistor
1:¥353.464
10:¥306.9758
25:¥288.5342
50:¥267.7874
100:¥253.8771
参考库存:2360
TPS1101DR
Texas Instruments
晶体管
MOSFET Single P-Ch Enh-Mode MOSFET
1:¥15.6731
10:¥13.2888
100:¥10.6785
500:¥9.379
2,500:¥7.1868
5,000:查看
参考库存:2447
VS-ETF150Y65U
Vishay Semiconductors
晶体管
IGBT 模块 Output & SW Modules - EMIPAK SWITCH
1:¥634.4724
5:¥614.7991
10:¥594.7416
25:¥574.9214
参考库存:2354
2PD602ASL,215
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 50V 500MA NPN GEN-PURPOSE TRAN
1:¥2.0792
10:¥1.3786
100:¥0.5763
1,000:¥0.40002
3,000:¥0.30736
参考库存:21261

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

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    物料均可追溯

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