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晶体管
STB23NM50N参考图片

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STB23NM50N

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • MOSFET MDmesh II N-Ch 500V 17A ID <0.19 RDS(on)
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1
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29.4252
10
¥25.0521
250.521
100
¥21.6734
2167.34
250
¥20.5886
5147.15
1,000
¥15.594
15594
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
17 A
Rds On-漏源导通电阻
162 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
25 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
125 W
配置
Single
商标名
MDmesh
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
STB23NM50N
晶体管类型
1 N-Channel
商标
STMicroelectronics
产品类型
MOSFET
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
单位重量
4 g
商品其它信息
优势价格,STB23NM50N的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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10,000:¥1.9323
25,000:¥1.8645
50,000:¥1.8306
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晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
50:¥640.5405
参考库存:51324
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP -60V -5A 40W
5,000:¥3.7629
参考库存:51329
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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