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晶体管
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CSD18563Q5AT

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60V NCh NexFET Power MOSFET
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数量单价合计
1
¥12.7577
12.7577
10
¥10.8367
108.367
100
¥8.6106
861.06
250
¥8.6106
2152.65
500
¥7.5823
3791.15
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSONP-8
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
100 A
Rds On-漏源导通电阻
6.8 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.7 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
15 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
116 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
1 mm
长度
5.75 mm
系列
CSD18563Q5A
晶体管类型
1 N-Channel Power MOSFET
类型
NexFET Power MOSFET
宽度
4.9 mm
商标
Texas Instruments
开发套件
TPS40170EVM-597
下降时间
1.7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
6.3 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
11.4 ns
典型接通延迟时间
3.2 ns
单位重量
86.200 mg
商品其它信息
优势价格，CSD18563Q5AT的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
SIA432DJ-T1-GE3
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥8.6106
10:¥7.0851
100:¥5.4353
500:¥4.6782
1,000:¥4.4296
3,000:¥4.1019
参考库存:25454
IRFI9634GPBF
Vishay / Siliconix
晶体管
MOSFET P-CH -250V HEXFET MOSFET
1:¥13.9894
10:¥11.6842
参考库存:8016
FQA70N10
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
MOSFET 100V N-Channel QFET
1:¥21.0519
10:¥17.8992
100:¥15.5262
250:¥14.6787
500:¥13.221
参考库存:7103
BCM847BV,315
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Trans GP BJT NPN 45V 0.1A 6-Pin
1:¥2.8476
10:¥2.1131
100:¥1.1413
1,000:¥0.86106
8,000:¥0.69156
24,000:查看
参考库存:43730
TP0606N3-G
Microchip Technology
晶体管
MOSFET 60V 3.5Ohm
1:¥6.3732
10:¥6.3167
25:¥5.2997
100:¥4.8251
参考库存:22152

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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