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晶体管
TP0606N3-G参考图片

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TP0606N3-G

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库存:22,152(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.3732
6.3732
10
¥6.3167
63.167
25
¥5.2997
132.4925
100
¥4.8251
482.51
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
320 mA
Rds On-漏源导通电阻
3.5 Ohms
Vgs th-栅源极阈值电压
1 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
1 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Bulk
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
晶体管类型
1 P-Channel
类型
FET
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
正向跨导 - 最小值
300 mS
下降时间
15 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
10 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格,TP0606N3-G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET SWITCHING DEVICE
1:¥5.763
10:¥4.7686
100:¥3.0736
1,000:¥2.4634
3,000:¥2.0792
参考库存:30535
晶体管
MOSFET NFET XLLGA3 20V 230MA
1:¥5.1528
10:¥4.2375
100:¥2.7346
1,000:¥2.1922
8,000:¥1.7854
24,000:查看
参考库存:234452
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 8A 450V 125W NPN
1:¥11.2209
10:¥9.5259
100:¥7.3111
500:¥6.4636
1,000:¥5.1076
参考库存:39479
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 60V 3A
1:¥4.3053
10:¥3.5256
100:¥2.147
1,000:¥1.6611
2,000:¥1.4238
参考库存:39941
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 3.3 m std level MOSFET
1:¥20.8259
10:¥17.6732
100:¥14.1363
500:¥12.3735
参考库存:38053
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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