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晶体管
IPI200N25N3 G参考图片

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IPI200N25N3 G

  • Infineon Technologies
  • 新批次
  • MOSFET N-Ch 250V 64A I2PAK-3 OptiMOS 3
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数量单价合计
1
¥49.6409
49.6409
10
¥44.7932
447.932
25
¥42.7253
1068.1325
100
¥37.1092
3710.92
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相关型号
数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-262-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
250 V
Id-连续漏极电流
64 A
Rds On-漏源导通电阻
20 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
64 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
商标名
OptiMOS
封装
Tube
高度
9.45 mm
长度
10.2 mm
系列
OptiMOS 3
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.5 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
12 nS
产品类型
MOSFET
上升时间
20 nS
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
45 nS
零件号别名
IPI200N25N3GAKSA1 IPI2N25N3GXK SP000714308
单位重量
2.387 g
商品其它信息
优势价格，IPI200N25N3 G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
TPN1110ENH,L1Q
Toshiba
晶体管
MOSFET UMOSVIII 200V 126m (VGS=10V) TSON-ADV
5,000:¥4.52
10,000:¥4.3505
参考库存:42273
DMT34M2LPS-13
Diodes Incorporated
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥6.3054
10:¥5.2432
100:¥3.39
1,000:¥2.712
参考库存:42278
DDTA114WE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 10K 4.7K
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:42283
2N5859
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 80Vcbo 40Vceo 6.0Vebo 2.0A 1.0W
500:¥30.2727
1,000:¥28.589
2,000:¥27.5042
参考库存:42288
DDTC115TE-7-F
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PRE-BIAS NPN 150mW
3,000:¥0.3842
9,000:¥0.32996
24,000:¥0.30736
45,000:¥0.29154
参考库存:63596

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    50万现货SKU

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