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晶体管
IKW50N60H3FKSA1参考图片

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IKW50N60H3FKSA1

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库存:4,802(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥39.1093
39.1093
10
¥33.1994
331.994
100
¥28.815
2881.5
250
¥27.2782
6819.55
500
¥24.5097
12254.85
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
1.85 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
100 A
Pd-功率耗散
333 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
HighSpeed 3
封装
Tube
高度
20.7 mm
长度
15.87 mm
宽度
5.31 mm
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IKW50N60H3 IKW5N6H3XK SP000852244
单位重量
4.430 g
商品其它信息
优势价格,IKW50N60H3FKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) BIP NPN+NPN 0.6A 15V
1:¥3.6838
10:¥2.3617
100:¥1.01474
1,000:¥0.77631
5,000:¥0.59212
参考库存:24854
晶体管
MOSFET Power MOSFET - MOS7
1:¥256.6456
5:¥246.5773
10:¥237.3565
25:¥218.0674
参考库存:24859
晶体管
MOSFET N-Ch 80V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
1:¥43.5728
10:¥37.0414
100:¥32.0468
250:¥30.4309
500:¥27.2782
1,000:¥23.052
参考库存:9456
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V
1:¥8.0682
10:¥6.8817
100:¥5.2997
500:¥4.6782
1,000:¥3.6838
2,500:¥3.6838
参考库存:16958
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 25V-30V
1:¥3.4578
10:¥2.8589
100:¥1.7402
1,000:¥1.3447
2,000:¥1.1526
参考库存:24868
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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