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晶体管
SPB08P06P G参考图片

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SPB08P06P G

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库存:6,109(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥6.9156
6.9156
10
¥5.9438
59.438
100
¥4.5652
456.52
500
¥4.0341
2017.05
1,000
¥3.1866
3186.6
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
P-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
8.8 A
Rds On-漏源导通电阻
300 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
42 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
SIPMOS
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
系列
SPB08P06
晶体管类型
1 P-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
14 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
46 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
48 ns
典型接通延迟时间
16 ns
零件号别名
SP000102179 SPB08P06PGATMA1 SPB8P6PGXT
单位重量
2 g
商品其它信息
优势价格,SPB08P06P G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Chan Enhancement Mode Field Effect
1:¥3.6838
10:¥2.3843
100:¥1.02152
1,000:¥0.78422
3,000:¥0.5989
参考库存:80845
晶体管
MOSFET 1.8V-rated PFET w/Vgs pull-up
1:¥4.2262
10:¥4.2149
25:¥3.5595
100:¥3.2431
3,000:¥3.2431
参考库存:26367
晶体管
MOSFET N-CH 600V HEXFET MOSFET
1:¥56.9407
10:¥50.8726
100:¥41.7196
250:¥37.4256
参考库存:4484
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) ULAHIGH-FREQUENCY TRANSISTOR
1:¥3.2318
10:¥2.6329
100:¥1.6046
1,000:¥1.2317
3,000:¥1.05994
参考库存:37651
晶体管
MOSFET N-CHANNEL 60V 200mA
1:¥3.5369
10:¥2.5086
100:¥1.1413
1,000:¥0.88366
2,000:¥0.7458
参考库存:36868
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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