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晶体管
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IPP65R190E6

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数量单价合计
1
¥23.052
23.052
10
¥19.5942
195.942
100
¥16.9839
1698.39
250
¥16.1364
4034.1
500
¥14.4414
7220.7
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
20.2 A
Rds On-漏源导通电阻
170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2.5 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
73 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
151 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
15.65 mm
长度
10 mm
系列
CoolMOS E6
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.4 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
10 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
112 ns
典型接通延迟时间
12 ns
零件号别名
IPP65R190E6XKSA1 IPP65R19E6XK SP000849876
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，IPP65R190E6的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
DU1215S
MACOM
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管
1:¥360.5378
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NSS20200LT1G
ON Semiconductor
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1:¥3.3787
10:¥2.373
100:¥1.09158
1,000:¥0.83733
3,000:¥0.71416
参考库存:63137
KSA473YTU
ON Semiconductor / Fairchild
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Epitaxial Sil
1:¥5.9212
10:¥4.859
100:¥3.1414
1,000:¥2.5086
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DSC2002R0L
Panasonic
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1:¥3.842
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100:¥1.582
500:¥1.4125
3,000:¥0.89157
9,000:查看
参考库存:18216
PMPB20EN,115
Nexperia
晶体管
MOSFET 30V N-channel Trench MOSFET
1:¥2.9945
10:¥2.2487
100:¥1.2204
1,000:¥1.11418
3,000:¥0.92208
参考库存:35633

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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    科技智能大仓储

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