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晶体管
NSS20300MR6T1G参考图片

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NSS20300MR6T1G

  • ON Semiconductor
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 3A 20V Low VCEsat
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数量单价合计
1
¥4.0002
4.0002
10
¥3.0171
30.171
100
¥1.6385
163.85
1,000
¥1.2317
1231.7
3,000
¥1.05994
3179.82
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 20 V
集电极—基极电压 VCBO
- 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 0.25 V
最大直流电集电极电流
- 5 A
增益带宽产品fT
100 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
NSS20300MR6
直流电流增益 hFE 最大值
400
高度
0.94 mm
长度
3 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
1.5 mm
商标
ON Semiconductor
集电极连续电流
- 3 A
Pd-功率耗散
545 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格,NSS20300MR6T1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 晶体管 Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode
1:¥14.5205
10:¥12.3735
100:¥9.831
500:¥8.6106
2,500:¥6.6896
5,000:查看
参考库存:16531
晶体管
MOSFET P-Chan 60V MOSFET (UMOS)
1:¥6.3732
10:¥5.4918
100:¥4.2149
500:¥3.729
1,000:¥2.938
2,500:¥2.938
参考库存:25443
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Big Chip SELine
1:¥8.9157
10:¥7.6388
100:¥5.876
500:¥5.1867
1,000:¥4.0906
参考库存:18510
晶体管
MOSFET 70V P-Channel 5.7A MOSFET
1:¥6.5314
10:¥5.4805
100:¥3.5369
1,000:¥2.825
2,500:¥2.825
参考库存:24732
晶体管
MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms
1:¥20.2835
10:¥17.2099
100:¥13.8312
500:¥12.0684
800:¥9.9892
参考库存:19439
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

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