RN2130MFV(TPL3)详细参数_参考价格_RN2130MFV(TPL3) PDF资料_Toshiba

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	PNP
典型输入电阻器	100 kOhms
典型电阻器比率	1
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SOT-723
直流集电极/Base Gain hfe Min	100
集电极—发射极最大电压 VCEO	- 50 V
集电极连续电流	- 100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	150 mW
最小工作温度	- 65 C
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN2130
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
集电极—基极电压 VCBO	- 50 V
直流电流增益 hFE 最大值	100
发射极 - 基极电压 VEBO	- 10 V
高度	0.5 mm
长度	1.2 mm
工作温度范围	- 65 C to + 150 C
类型	PNP Epitaxial Silicon Transistor
宽度	0.8 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	8000
子类别	Transistors

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
STB60NF06T4	STMicroelectronics	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch 60 Volt 60 Amp	1:¥12.5204 10:¥10.6785 100:¥8.5315 500:¥7.4919 1,000:¥6.2037	参考库存:8851
PUMH30,115	Nexperia	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 TRNS DOUBL RET TAPE7	1:¥2.4634 10:¥1.7176 100:¥0.72207 1,000:¥0.49155 3,000:¥0.3842	参考库存:18608
MUN2135T1G	ON Semiconductor	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR	1:¥1.3108 10:¥1.12209 100:¥0.40002 1,000:¥0.26103 3,000:¥0.20001	参考库存:167775
TP89R103NL,LQ	Toshiba	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch DTMOS VII-H 1.9W 630pF 15A 30V	1:¥5.4579 10:¥4.1697 100:¥2.6894 1,000:¥2.147 2,500:¥1.8193	参考库存:7302
IRLR3103TRPBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 33.3nC	1:¥8.6106 10:¥7.3676 100:¥5.6613 500:¥5.0059 1,000:¥3.955 2,000:¥3.955	参考库存:6324