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晶体管
STGD10HF60KD参考图片

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STGD10HF60KD

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 Automotive-grade 10 A, 600 V short-circuit rugged IGBT with Ultrafast diode
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库存:16,531(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥14.5205
14.5205
10
¥12.3735
123.735
100
¥9.831
983.1
500
¥8.6106
4305.3
2,500
¥6.6896
16724
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
DPAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.75 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
18 A
Pd-功率耗散
62.5 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
STGD10HF60KD
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
10 A
商标
STMicroelectronics
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
IGBTs
单位重量
350 mg
商品其它信息
优势价格,STGD10HF60KD的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET N-CHANNEL SOT-523
1:¥2.2261
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
3,000:¥0.33787
参考库存:991062
晶体管
MOSFET 1200V/60mOhm SiC CASCODE, TO-247
1:¥176.6529
5:¥168.7429
10:¥163.4432
25:¥150.2222
参考库存:4859
晶体管
MOSFET Mosfet
1:¥13.3679
10:¥12.0684
25:¥10.7576
100:¥9.6841
参考库存:5296
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Silicon AF TRANSISTOR
1:¥1.1526
10:¥1.11418
100:¥0.39211
1,000:¥0.26103
3,000:¥0.20001
参考库存:301083
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 50V 1A
1:¥3.1527
10:¥2.5764
100:¥1.5707
1,000:¥1.2204
2,000:¥1.03734
参考库存:9890
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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