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晶体管
STGB14NC60KDT4参考图片

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STGB14NC60KDT4

  • STMicroelectronics
  • 新批次
  • IGBT 晶体管 PowerMESH&#34 IGBT
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数量单价合计
1
¥12.9046
12.9046
10
¥10.9836
109.836
100
¥8.7575
875.75
500
¥7.6727
3836.35
1,000
¥6.3506
6350.6
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
STMicroelectronics
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
D2PAK-3
安装风格
SMD/SMT
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
600 V
集电极—射极饱和电压
2.1 V
栅极/发射极最大电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
STGB14NC60KDT4
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
集电极最大连续电流 Ic
25 A
高度
4.6 mm
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
商标
STMicroelectronics
集电极连续电流
25 A
栅极—射极漏泄电流
2 A
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
1000
子类别
IGBTs
单位重量
2.240 g
商品其它信息
优势价格,STGB14NC60KDT4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V
1:¥10.5994
10:¥9.0626
100:¥6.9495
500:¥6.1359
1,000:¥4.8364
参考库存:5043
晶体管
MOSFET
1:¥109.1919
5:¥103.5758
10:¥99.7338
25:¥95.8918
参考库存:5200
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 47K
1:¥3.1527
10:¥2.1809
100:¥1.00683
1,000:¥0.7684
3,000:¥0.66105
参考库存:169547
晶体管
MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
1:¥13.9103
10:¥11.6051
25:¥9.605
100:¥8.7575
2,000:¥5.65
参考库存:27052
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 150MW 47K
3,000:¥0.66105
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:27057
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

  • 闪电发货

    科技智能大仓储

    4小时快速发货

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