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晶体管
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FF450R12KE4

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1
¥1,217.3716
1217.3716
5
¥1,188.1046
5940.523
10
¥1,158.589
11585.89
25
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28559.62
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 模块
RoHS
是
产品
IGBT Silicon Modules
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
1200 V
集电极—射极饱和电压
2.15 V
在25 C的连续集电极电流
520 A
栅极—射极漏泄电流
400 nA
Pd-功率耗散
2400 W
封装 / 箱体
62 mm
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 150 C
封装
Tray
高度
30.5 mm
长度
106.4 mm
宽度
61.4 mm
商标
Infineon Technologies
安装风格
Chassis Mount
栅极/发射极最大电压
20 V
产品类型
IGBT Modules
工厂包装数量
10
子类别
IGBTs
零件号别名
FF450R12KE4HOSA1 SP000370610
单位重量
337 g
商品其它信息
优势价格，FF450R12KE4的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
JANTXV2N3499
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10:¥11.30
25:¥10.0683
100:¥9.0626
参考库存:40096

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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