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晶体管
TPC6503(TE85L,F,M)参考图片

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TPC6503(TE85L,F,M)

  • Toshiba
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN hFE 400 to 1000 VCE 0.12V tF 45ns
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库存:25,630(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥3.6838
3.6838
10
¥2.7007
27.007
100
¥1.695
169.5
1,000
¥1.2656
1265.6
3,000
¥1.08367
3251.01
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Toshiba
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
晶体管极性
NPN
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
20 V
集电极—基极电压 VCBO
40 V
发射极 - 基极电压 VEBO
7 V
集电极—射极饱和电压
0.12 V
最大直流电集电极电流
1.5 A
最大工作温度
+ 150 C
系列
TPC6503
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Toshiba
直流集电极/Base Gain hfe Min
400
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
商品其它信息
优势价格,TPC6503(TE85L,F,M)的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Gen Pur SS
1:¥4.6104
10:¥3.9098
100:¥2.4634
1,000:¥1.8419
参考库存:34938
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Complementary HV 300Vcbo 300Vceo 6.0
1:¥10.4525
10:¥8.6106
100:¥7.1077
500:¥5.4918
1,000:¥4.9607
参考库存:14510
晶体管
IGBT 晶体管 1200V/30A FAST IGBT FSII
1:¥62.5455
10:¥56.5565
25:¥53.9462
100:¥46.7933
参考库存:5577
晶体管
达林顿晶体管 NPN Epitaxial Darl
1:¥6.2263
10:¥5.1302
100:¥3.3109
1,000:¥2.6555
参考库存:18709
晶体管
MOSFET N-Ch 650V 43.3A TO247-3
1:¥82.829
10:¥74.8399
25:¥71.3821
100:¥62.0144
参考库存:26791
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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