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晶体管
TN2640N3-G P003参考图片

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TN2640N3-G P003

  • Microchip Technology
  • 新批次
  • MOSFET N-CH Enhancmnt Mode MOSFET
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库存：27,052(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥13.9103
13.9103
10
¥11.6051
116.051
25
¥9.605
240.125
100
¥8.7575
875.75
2,000
¥5.65
11300
询价数量：
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Microchip
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-92-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
400 V
Id-连续漏极电流
220 mA
Rds On-漏源导通电阻
5 Ohms
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
740 mW
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
Reel
高度
5.33 mm
长度
5.21 mm
产品
MOSFET Small Signal
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.19 mm
商标
Microchip Technology
下降时间
22 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
15 ns
工厂包装数量
2000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
20 ns
典型接通延迟时间
4 ns
单位重量
453.600 mg
商品其它信息
优势价格，TN2640N3-G P003的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
6MS16017P43W40383
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块
1:¥140,269.6572
参考库存:52361
SMPJ110A
InterFET
晶体管
JFET JFET N-Channel -25V 5.0Vds 10mA 4.0Vgs
329:¥21.5943
500:¥19.3682
1,000:¥16.3624
2,500:¥15.5262
参考库存:52366
PXAC261002FC-V1-R250
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF LDMOS FET
250:¥597.1259
参考库存:52371
PTRA082808NF-V1-R5
Wolfspeed / Cree
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 Power Amplifier
500:¥500.5335
参考库存:52376
AGR21060EF
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.11-2.17GHz13.5Watt Gain 14.5dB
10:¥726.138
30:¥643.1508
50:¥580.9104
100:¥560.1636
参考库存:52381

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

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