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晶体管
IGW50N65F5AXKSA1参考图片

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IGW50N65F5AXKSA1

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数量单价合计
1
¥47.1775
47.1775
10
¥42.6462
426.462
25
¥40.7252
1018.13
100
¥35.3464
3534.64
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-247-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
650 V
集电极—射极饱和电压
1.6 V
栅极/发射极最大电压
20 V
在25 C的连续集电极电流
80 A
Pd-功率耗散
305 W
最小工作温度
- 40 C
最大工作温度
+ 175 C
系列
TRENCHSTOP 5 F5
封装
Tube
商标
Infineon Technologies
栅极—射极漏泄电流
100 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
240
子类别
IGBTs
商标名
TRENCHSTOP
零件号别名
IGW50N65F5A SP001187514
商品其它信息
优势价格,IGW50N65F5AXKSA1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Small-Signal BJT
1:¥115.26
10:¥104.8075
25:¥96.8975
50:¥91.6656
参考库存:38713
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN Transistor
100:¥308.9759
250:¥282.3079
参考库存:38718
晶体管
MOSFET N-Ch 20V FET 6A 2.2W 630pF
暂无价格
参考库存:38723
晶体管
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暂无价格
参考库存:38728
晶体管
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2,500:¥3.0284
10,000:¥2.9154
25,000:¥2.825
参考库存:38733
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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