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晶体管
FDD6N50TM-WS参考图片

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FDD6N50TM-WS

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库存:12,060(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥8.0682
8.0682
10
¥6.8817
68.817
100
¥5.2884
528.84
500
¥4.6669
2333.45
1,000
¥3.6838
3683.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-252-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
500 V
Id-连续漏极电流
6 A
Rds On-漏源导通电阻
760 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
89 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
2.39 mm
长度
6.73 mm
系列
FDD6N50
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
6.22 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
下降时间
35 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
55 ns
工厂包装数量
2500
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns
典型接通延迟时间
6 ns
零件号别名
FDD6N50TM_WS
单位重量
260.370 mg
商品其它信息
优势价格,FDD6N50TM-WS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 250V N-Channel Advance Q-FET
1:¥8.9948
10:¥7.6501
100:¥5.876
500:¥5.198
1,000:¥4.1019
参考库存:8069
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双极晶体管 - 预偏置 BISS RETS TAPE-7
1:¥2.6103
10:¥1.7289
100:¥0.72207
1,000:¥0.49155
3,000:¥0.3842
参考库存:33966
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Si Transistor Epitaxial
1:¥2.3052
10:¥1.5255
100:¥0.63732
1,000:¥0.43844
2,000:¥0.33787
参考库存:70373
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 0.15A IC 50V Gen Purp Trans
1:¥2.4634
10:¥1.5707
100:¥0.65314
1,000:¥0.44522
3,000:¥0.33787
参考库存:93800
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP/7A/100V/TO-220
1:¥7.1416
10:¥5.9099
100:¥3.8081
1,000:¥3.051
参考库存:10022
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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