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晶体管
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PBSS4160DSH

  • Nexperia
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A NPN/NPN Low VCEsat Transistor
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1
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2.6103
10
¥2.0453
20.453
100
¥1.10627
110.627
1,000
¥0.82942
829.42
3,000
¥0.71416
2142.48
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Nexperia
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TSOP-6
晶体管极性
NPN
配置
Dual
集电极—发射极最大电压 VCEO
60 V
集电极—基极电压 VCBO
80 V
发射极 - 基极电压 VEBO
5 V
集电极—射极饱和电压
200 mV
最大直流电集电极电流
2 A
增益带宽产品fT
220 MHz
最小工作温度
- 65 C
最大工作温度
+ 150 C
直流电流增益 hFE 最大值
500 at 1 mA, 5 V
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
商标
Nexperia
集电极连续电流
1 A
直流集电极/Base Gain hfe Min
250 at 1 mA, 5 V
Pd-功率耗散
700 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
资格
AEC-Q101
工厂包装数量
3000
子类别
Transistors
单位重量
20 mg
商品其它信息
优势价格，PBSS4160DSH的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
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1:¥85.5975
10:¥78.6819
25:¥75.4614
100:¥66.4666
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6,000:¥1.1752
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Microsemi
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双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
50:¥447.1297
100:¥440.9825
参考库存:41196

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