RN1315(TE85L,F)详细参数_参考价格_RN1315(TE85L,F) PDF资料_Toshiba

晶体管

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数据手册

参数信息

参数	参数值
制造商	Toshiba
产品种类	双极晶体管 - 预偏置
RoHS	是
配置	Single
晶体管极性	NPN
典型输入电阻器	2.2 kOhms
典型电阻器比率	0.22
安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	SC-70
直流集电极/Base Gain hfe Min	50
集电极—发射极最大电压 VCEO	50 V
集电极连续电流	100 mA
峰值直流集电极电流	100 mA
Pd-功率耗散	100 mW
最大工作温度	+ 150 C
系列	RN1315
封装	Cut Tape
封装	MouseReel
封装	Reel
直流电流增益 hFE 最大值	50
高度	0.9 mm
长度	2 mm
宽度	1.25 mm
商标	Toshiba
产品类型	BJTs - Bipolar Transistors - Pre-Biased
工厂包装数量	3000
子类别	Transistors
单位重量	28 mg

商品其它信息

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推荐型号

型号	制造商	分类	数据手册	描述	参考价格	库存数量
DCP53-16-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1W -80V	2,500:¥1.00683	参考库存:116664
DMN10H170SFG-13	Diodes Incorporated	晶体管	PDF数据手册	MOSFET N-Ch Enh Mode FET 100Vdss 20Vgss	3,000:¥1.4012	参考库存:64166
IRFB4332PBF	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	MOSFET MOSFT 250V 60A 33mOhm 99nC Qg	1:¥28.9732 10:¥24.5888 100:¥21.2892 250:¥20.2044	参考库存:46998
BC 847S H6433	Infineon Technologies	晶体管	PDF数据手册	双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTOR	1:¥2.5312 10:¥1.7402 100:¥0.72998 1,000:¥0.49946 10,000:¥0.32996 20,000:查看	参考库存:201070
SIDR626DP-T1-GE3	Vishay / Siliconix	晶体管	PDF数据手册	MOSFET 60V Vds 20V Vgs PowerPAK SO-8DC	1:¥21.8994 10:¥18.2156 100:¥14.0572 500:¥12.2944 3,000:¥9.5259 6,000:查看	参考库存:32647