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晶体管
CSD18535KCS参考图片

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CSD18535KCS

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 60V N ch MOSFET
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库存:6,982(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥21.357
21.357
10
¥19.21
192.1
100
¥15.6731
1567.31
250
¥14.7578
3689.45
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
60 V
Id-连续漏极电流
279 A
Rds On-漏源导通电阻
2 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.4 V
Vgs - 栅极-源极电压
10 V
Qg-栅极电荷
63 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
300 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Tube
高度
16.51 mm
长度
10.67 mm
系列
CSD18535KCS
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
263 S
下降时间
3 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
3 ns
工厂包装数量
50
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
19 ns
典型接通延迟时间
9 ns
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格,CSD18535KCS的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 NPN/PNP RESISTOR EQUIPPED TRANSISTOR
10,000:¥0.29945
20,000:¥0.27685
50,000:¥0.26103
100,000:¥0.23052
参考库存:40053
晶体管
MOSFET 30V P-Ch ENH Mode FET -30Vdss 8V 2.5A
3,000:¥0.66105
9,000:¥0.5989
24,000:¥0.56048
参考库存:571361
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) . .
270:¥31.3462
510:¥25.3572
1,020:¥23.6622
2,520:¥22.5096
参考库存:40060
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP BIPOLAR
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.18419
参考库存:406368
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SM SIG TRANS FLT LD 1.6x1.6mm
3,000:¥1.05316
参考库存:40067
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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