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晶体管
FGA50N100BNTDTU参考图片

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FGA50N100BNTDTU

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库存:3,564(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥35.5046
35.5046
10
¥30.1936
301.936
100
¥26.1256
2612.56
250
¥24.8148
6203.7
500
¥22.2836
11141.8
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
IGBT 晶体管
RoHS
技术
Si
封装 / 箱体
TO-3P-3
安装风格
Through Hole
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
1000 V
集电极—射极饱和电压
2.5 V
栅极/发射极最大电压
25 V
Pd-功率耗散
156 W
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
FGA50N100BNTD
封装
Tube
集电极最大连续电流 Ic
50 A
高度
18.9 mm
长度
15.8 mm
宽度
5 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
集电极连续电流
50 A
栅极—射极漏泄电流
+/- 500 nA
产品类型
IGBT Transistors
工厂包装数量
450
子类别
IGBTs
单位重量
6.401 g
商品其它信息
优势价格,FGA50N100BNTDTU的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3 OptiMOS 3
1:¥8.9157
10:¥7.6049
100:¥5.8421
500:¥5.1641
1,000:¥4.068
参考库存:6437
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1:¥8.2942
10:¥7.119
100:¥5.4692
500:¥4.8364
1,500:¥3.39
9,000:查看
参考库存:4549
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
1:¥1.8419
10:¥1.243
100:¥0.52206
1,000:¥0.35369
3,000:¥0.27685
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1:¥20.8259
10:¥17.6732
100:¥15.2889
250:¥14.5205
参考库存:3273
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS GP TAPE-7
1:¥0.92208
10:¥0.89157
100:¥0.31527
1,000:¥0.2147
3,000:¥0.16159
参考库存:18370
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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