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晶体管
CSD87503Q3ET参考图片

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CSD87503Q3ET

  • Texas Instruments
  • 新批次
  • MOSFET 30-V Dual N-Channel MOSFET
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库存:4,118(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥7.8422
7.8422
10
¥6.6896
66.896
100
¥5.1528
515.28
250
¥5.1528
1288.2
500
¥4.5539
2276.95
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Texas Instruments
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
VSON-8
通道数量
2 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
30 V
Id-连续漏极电流
10 A
Rds On-漏源导通电阻
17.3 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
1.3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
42.8 nC, 42.8 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
15.6 W
配置
Dual
通道模式
Enhancement
商标名
NexFET
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
系列
CSD87503Q3E
晶体管类型
2 N-Channel
商标
Texas Instruments
正向跨导 - 最小值
24 S, 24 S
下降时间
8 ns, 8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
40 ns, 40 ns
工厂包装数量
250
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
25 ns, 25 ns
典型接通延迟时间
10 ns, 10 ns
商品其它信息
优势价格,CSD87503Q3ET的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 IGBT Module 20A 600V
1:¥202.0101
5:¥199.9422
10:¥186.337
25:¥177.9637
参考库存:3168
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTC114YU/SC-70/REEL 13" Q1/T1
1:¥1.2317
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
10,000:¥0.18419
20,000:查看
参考库存:15675
晶体管
MOSFET 12V,P-Ch FemtoFET MOSFET
1:¥2.9945
10:¥2.0792
100:¥0.96841
250:¥0.96841
1,000:¥0.7458
参考库存:38687
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PNP W/RES 50V
1:¥1.3108
10:¥1.1639
100:¥0.41471
1,000:¥0.27685
3,000:¥0.2147
参考库存:75589
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 PDTA143ZQA/DFN1010D-3/REEL 7
1:¥2.0001
10:¥1.3108
100:¥0.5537
1,000:¥0.37629
5,000:¥0.29154
参考库存:28056
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

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