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晶体管
IPW65R095C7参考图片

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IPW65R095C7

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库存:1,756(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥46.0249
46.0249
10
¥39.1093
391.093
100
¥33.8887
3388.87
250
¥32.1937
8048.425
500
¥28.8941
14447.05
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-247-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
650 V
Id-连续漏极电流
24 A
Rds On-漏源导通电阻
84 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
3 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
45 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
128 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
CoolMOS
封装
Tube
高度
21.1 mm
长度
16.13 mm
系列
CoolMOS C7
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
5.21 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
7 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
12 ns
工厂包装数量
240
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
60 ns
典型接通延迟时间
14 ns
零件号别名
IPW65R095C7XKSA1 SP001080128
单位重量
38 g
商品其它信息
优势价格,IPW65R095C7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 800V, 12A N-Channel Power MOSFET
1:¥31.1993
10:¥27.8884
25:¥25.0521
100:¥22.826
参考库存:12124
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) AF TRANSISTORS
1:¥3.2996
10:¥2.5199
100:¥1.3673
1,000:¥1.02943
4,000:¥0.88366
8,000:¥0.82942
参考库存:42176
晶体管
MOSFET -60V Vds 20V Vgs SO-8
1:¥10.2152
10:¥8.4524
100:¥6.4523
500:¥5.5596
1,000:¥4.3844
2,500:¥4.3844
参考库存:188258
晶体管
MOSFET FET 100V 4.85 MOHM PQFN56
1:¥29.041
10:¥24.6679
100:¥21.357
250:¥20.2835
3,000:¥14.5996
6,000:查看
参考库存:89675
晶体管
射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 TAPE7 FET-RFSS
1:¥5.989
10:¥5.3223
25:¥4.8138
100:¥4.2149
3,000:¥2.2939
6,000:查看
参考库存:6497
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

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    明码标价节省时间成本

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