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晶体管
FDP085N10A-F102参考图片

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FDP085N10A-F102

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库存：10,576(价格仅供参考)
数量单价合计
1
¥15.594
15.594
10
¥13.221
132.21
100
¥10.5994
1059.94
500
¥9.2208
4610.4
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
Through Hole
封装 / 箱体
TO-220-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
100 V
Id-连续漏极电流
96 A
Rds On-漏源导通电阻
7.35 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
4 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
31 nC
Pd-功率耗散
188 W
配置
Single
封装
Tube
高度
16.3 mm
长度
10.67 mm
系列
FDP085N10A
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
4.7 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
72 S
下降时间
8 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
22 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
零件号别名
FDP085N10A_F102
单位重量
1.800 g
商品其它信息
优势价格，FDP085N10A-F102的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
MRF951
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥34.578
10:¥28.8941
25:¥25.9674
50:¥23.052
参考库存:3070
BC53PASX
Nexperia
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 1A PNP Medium Power Transistors
1:¥3.4578
10:¥2.3956
100:¥1.10627
1,000:¥0.84524
3,000:¥0.72207
参考库存:31962
2N6109
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) PNP Med Power
1:¥11.6051
10:¥10.2943
100:¥8.2264
500:¥7.2546
1,000:¥6.0116
参考库存:3164
BLW98
Advanced Semiconductor, Inc.
晶体管
射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
1:¥668.508
10:¥557.09
25:¥501.381
50:¥445.672
参考库存:2001
BC546BTA
ON Semiconductor / Fairchild
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN 65V 100mA HFE/450
1:¥1.921
10:¥1.2995
100:¥0.54579
1,000:¥0.36838
2,000:¥0.29154
参考库存:80973

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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    科技智能大仓储

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