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晶体管
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IPB160N08S4-03

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数量单价合计
1
¥21.5152
21.5152
10
¥18.2834
182.834
100
¥15.8313
1583.13
250
¥15.0629
3765.725
500
¥13.447
6723.5
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Infineon
产品种类
MOSFET
RoHS
是
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-7
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
80 V
Id-连续漏极电流
160 A
Rds On-漏源导通电阻
2.6 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压
2 V
Vgs - 栅极-源极电压
20 V
Qg-栅极电荷
112 nC
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 175 C
Pd-功率耗散
208 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
资格
AEC-Q101
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.4 mm
长度
10 mm
晶体管类型
1 N-Channel
宽度
9.25 mm
商标
Infineon Technologies
下降时间
38 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
11 ns
工厂包装数量
1000
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
30 ns
典型接通延迟时间
18 ns
零件号别名
IPB160N08S403ATMA1 SP000989092
商品其它信息
优势价格，IPB160N08S4-03的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
CMLT2907A BK
Central Semiconductor
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) SS Transistor
10,000:¥0.99101
30,000:¥0.9379
50,000:¥0.91417
100,000:¥0.88366
参考库存:49437
2N5302
Microsemi
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) Power BJT
100:¥380.7422
250:¥348.7745
参考库存:49442
FMMT624TC
Diodes Incorporated
晶体管
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) NPN SuperSOT
10,000:¥1.4238
参考库存:49447
IPP034N03LGHKSA1
Infineon Technologies
晶体管
MOSFET N-Ch 30V 80A TO220-3
500:¥6.7348
1,000:¥5.3223
2,500:¥4.7121
10,000:¥4.5313
参考库存:49452
FF150R12KE3_B8
Infineon Technologies
晶体管
IGBT 模块 IGBT 1200V 150A
10:¥1,369.673
30:¥1,350.463
参考库存:49457

  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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  • 闪电发货

    科技智能大仓储

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