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晶体管
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FDB2614

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数量单价合计
1
¥33.5045
33.5045
10
¥28.5099
285.099
100
¥24.6679
2466.79
250
¥23.4362
5859.05
500
¥20.9728
10486.4
询价数量:
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
ON Semiconductor
产品种类
MOSFET
RoHS
技术
Si
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
TO-263-3
通道数量
1 Channel
晶体管极性
N-Channel
Vds-漏源极击穿电压
200 V
Id-连续漏极电流
62 A
Rds On-漏源导通电阻
22.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压
30 V
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
Pd-功率耗散
260 W
配置
Single
通道模式
Enhancement
商标名
PowerTrench
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
高度
4.83 mm
长度
10.67 mm
系列
FDB2614
晶体管类型
1 N-Channel
类型
MOSFET
宽度
9.65 mm
商标
ON Semiconductor / Fairchild
正向跨导 - 最小值
72 S
下降时间
162 ns
产品类型
MOSFET
上升时间
284 ns
工厂包装数量
800
子类别
MOSFETs
典型关闭延迟时间
103 ns
典型接通延迟时间
77 ns
单位重量
1.312 g
商品其它信息
优势价格,FDB2614的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
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图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
IGBT 模块 1700V 450A IGBT
60:¥2,618.1648
参考库存:45934
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10:¥2,235.7389
25:¥2,155.136
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10,000:¥0.77631
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晶体管
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3,000:¥10.8367
6,000:¥10.3734
9,000:¥9.7632
参考库存:45949
晶体管
双极晶体管 - 预偏置 200MW 10K
3,000:¥0.24634
9,000:¥0.2147
24,000:¥0.20001
45,000:¥0.18419
参考库存:45954
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

    一站式采购正品元器件

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    科技智能大仓储

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