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晶体管
2DB1714-13参考图片

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2DB1714-13

  • Diodes Incorporated
  • 新批次
  • 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) LO VSAT PNP SMT 2.5K
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数量单价合计
1
¥3.616
3.616
10
¥2.7233
27.233
100
¥1.4803
148.03
1,000
¥1.10627
1106.27
2,500
¥0.95259
2381.475
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数据手册
参数信息
参数参数值
制造商
Diodes Incorporated
产品种类
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS
安装风格
SMD/SMT
封装 / 箱体
SOT-89-3
晶体管极性
PNP
配置
Single
集电极—发射极最大电压 VCEO
- 30 V
集电极—基极电压 VCBO
- 30 V
发射极 - 基极电压 VEBO
- 6 V
集电极—射极饱和电压
- 370 mV
最大直流电集电极电流
- 4 A
增益带宽产品fT
200 MHz
最小工作温度
- 55 C
最大工作温度
+ 150 C
系列
2DB17
直流电流增益 hFE 最大值
270
高度
1.4 mm
长度
4.5 mm
封装
Cut Tape
封装
MouseReel
封装
Reel
宽度
2.5 mm
商标
Diodes Incorporated
直流集电极/Base Gain hfe Min
270 at 200 mA, 2 V
Pd-功率耗散
2000 mW
产品类型
BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量
2500
子类别
Transistors
单位重量
52 mg
商品其它信息
优势价格,2DB1714-13的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。
推荐型号
图片型号制造商分类数据手册描述参考价格库存数量
晶体管
MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level
1:¥8.4524
10:¥7.1868
100:¥5.5257
500:¥4.8816
1,000:¥3.8533
参考库存:15689
晶体管
IGBT 晶体管 600V AUTO ULTRAFAST 10-30 KHZ IGBT
1:¥35.8888
10:¥30.51
100:¥26.4307
250:¥25.0521
参考库存:5996
晶体管
MOSFET -20V -1.3A P-Channel
1:¥3.842
10:¥2.4521
100:¥1.05316
1,000:¥0.80682
3,000:¥0.61472
参考库存:128258
晶体管
MOSFET N-CH 400V HEXFET MOSFET
1:¥12.5204
10:¥10.3734
参考库存:13365
晶体管
MOSFET -20V Vds 12V Vgs PowerPAK SC-70
1:¥4.0002
10:¥2.9945
100:¥2.2261
500:¥1.8306
3,000:¥1.2882
6,000:查看
参考库存:59967
  • 海量现货

    50万现货SKU

    品类不断扩充

  • 严控渠道

    保证原装正品

    物料均可追溯

  • 降低成本

    明码标价节省时间成本

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